Elektronenüberschuss: Unterschied zwischen den Versionen

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* [[N-Leiter]]: [[Halbleiter]]werkstoffe wie [[Silicium]] und [[Germanium]] ([[Ge]]), die mit [[Phosphor]] ([[P]]), [[Arsen]] ([[As]]) oder [[Antimon]] ([[Sb]]) gezielt dotiert ("verunreinigt") sind, besitzen einen [[Elektronenüberschuss]]. Diese freien [[Elektron]]en können sich wie in einem metallischen Leiter frei bewegen.
 
* [[N-Leiter]]: [[Halbleiter]]werkstoffe wie [[Silicium]] und [[Germanium]] ([[Ge]]), die mit [[Phosphor]] ([[P]]), [[Arsen]] ([[As]]) oder [[Antimon]] ([[Sb]]) gezielt dotiert ("verunreinigt") sind, besitzen einen [[Elektronenüberschuss]]. Diese freien [[Elektron]]en können sich wie in einem metallischen Leiter frei bewegen.
 
* C-C-Mehrfachbindung in [[Alkene]]n und [[Alkine]]n.
 
* C-C-Mehrfachbindung in [[Alkene]]n und [[Alkine]]n.
* polare Atombindung: Ladungsverschiebung in Richtung des Bindungspatners mit der höheren [[Elektronegativität]] führt zu einer negativen Partialladung, z. B. am Sauerstoffatom im [[Wasser]]molekül  
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* polare Atombindung: Ladungsverschiebung in Richtung des Bindungspartners mit der höheren [[Elektronegativität]] führt zu einer negativen Partialladung, z. B. am Sauerstoffatom im [[Wasser]]molekül  
 
[[Kategorie:Chemie]]
 
[[Kategorie:Chemie]]

Version vom 14. Dezember 2011, 01:07 Uhr

Elektronenüberschuss (Gegenteil: Elektronenmangel) bedeutet mehr Elektronen als Protonen oder viele Elektronen in einem Molekülbereich, z. B.: